机译:使用锥形电子阻挡层在AlN基板上设计和分析250 nm AlInN激光二极管
Sch. of Electr. & Comput. Eng., Georgia Inst. of Technol., Atlanta, GA, USA;
AlInN active layer; AlN substrate; tapered electron blocking layer (EBL); ultraviolet laser diodes;
机译:具有双锥度电子阻挡层的深紫外氮化物激光二极管中的电子泄漏减少
机译:InGaN基蓝色激光二极管中的锥形AIGaN电子阻挡层改善了空穴注入和电子溢出
机译:InAlGaN激光二极管的性能特征取决于通过金属有机化学气相沉积法生长的电子阻挡层和波导层设计
机译:具有反向锥形电子阻挡层的氮化物激光二极管中的辐射重组增加。
机译:在块状AlN衬底上生长的亚300 nm发光二极管和激光二极管的点缺陷识别和管理。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:量子阱数和ALN电子阻挡层对AlGaN深紫外发光二极管电致发光性能的影响
机译:具有锥形增益区域的应变层InGaasp二极管激光器,用于波长= 1.3微米的操作