机译:非极性GaN基光子晶体缺陷腔的发光特性
Department of Photonics, Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Gallium nitride; defect cavity; nonpolar; photoluminescence; photonic crystal;
机译:具有光子晶体的GaN基微腔发光二极管的高方向远场发射图案的结构效应
机译:发射孔径的大小限制了GaN基超薄膜光子晶体微发光二极管的导模提取特性
机译:发射孔径的大小限制了GaN基超薄膜光子晶体微发光二极管的导模提取特性
机译:非极性α面GaN基光子晶体缺陷腔的发光特性
机译:量子点腔QED的光子晶体缺陷腔。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:具有光子晶体的GaN基微腔发光二极管的高方向远场发射模式的结构效应