...
机译:通过控制其反向偏置电压校正硅雪崩光电二极管中的强度相关的相位延迟
Dept. of Mech. Eng. Niihama Nat. Coll. of Technol. Ehime Japan;
avalanche photodiodes; photodetectors; silicon; elemental semiconductors; delays; intensity modulation; intensity-dependent phase delay correction; silicon avalanche photodiode; reverse bias voltage control; intensity-modulated periodic light; APD; o;
机译:通过控制雪崩光电二极管的反向偏置电压来校正强度相关的相位延迟
机译:通过控制雪崩光电二极管的反向偏置电压来校正强度相关的相位延迟
机译:通过实施具有反向基板偏置的电压控制环形振荡器的延迟减小
机译:通过具有反向偏置的平衡P / N可驱动性控制,可实现超低电压(0.4 V)操作的薄掩埋氧化物(SOTB)CMOS电路上硅的芯片间延迟延迟变化
机译:III-V到硅片熔融,用于熔融的硅/砷化镓铟雪崩光电二极管。
机译:使用双衰减器技术可溯源的单光子硅雪崩光电二极管的检测效率校准
机译:用于雪崩光电二极管的偏置电压和电流感应电路
机译:8 cm x 8cm硅太阳能电池的反向偏压测试