机译:大功率InGaAs-InP光电二极管的热分析
III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; photodiodes; temperature distribution; 10 GHz; 100 mum; 2 GHz; 40 mum; InGaAs-InP; InGaAs-InP photodiodes; charge compensation; unitraveling-carrier photodiodes; Frequency response; heating; high power photodete;
机译:大功率InGaAs-InP光电二极管的热分析
机译:大功率V波段InGaAs / InP光电二极管
机译:大功率InGaAs / InP光电二极管的表征和优化
机译:基于InAlAs / InGaAs / InP异质外延结构的肖特基接触大功率微波光电二极管
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:InGaAs / InAlAs单光子雪崩光电二极管的理论分析
机译:通过晶圆键合和氢诱导层剥离在硅上集成Inp / InGaas / Inp p-i-n光电二极管
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算