ОСОБЕННОСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ УСТОЙЧИВЫХ КОЛЕБАНИЙ ТОКА БОЛЬШОЙ АМПЛИТУДЫ В ДЛИННЫХ ВЫСОКООМНЫХ ПЛАНАРНО-ЭПИТ АКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

摘要

The results of experimental investigation for determining the effect of different factors (distance between contacts, type of contacts, and the grade of virgin wafers) on the origination of stable oscillations of high amplitude current in long planar-epitaxial structures based on high-impedance semi-isolating n-type gallium arsenide have been presented. It was found out that the distance between the anode and cathode contacts was a key factor determining the emergence of stable oscillations of high amplitude current in such structures.%Приведены результаты экспериментального исследования влияния различных факторов (расстояние между контактами, тип контактов, марка исходных пластин) на возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных планарно-эпитаксиальных структурах на основе высокоомного полуизолирующего арсенида галлия и-типа. Установлено, что расстояние между анодным и катодным контактами является определяющим фактором, обусловливающим возникновение устойчивых колебаний тока большой амплитуды в таких структурах.