机译:高能氘注入碳化钨中的化学行为
Radiochemistry Research Laboratory, Faculty of Science, Shizuoka University, 836 Ohya, Shizuoka 422-8529, Japan;
tungsten carbide; plasma facing materials; thermal desorption; tritium retention;
机译:注入温度对注入碳化钨中高能氘的化学行为的依赖性
机译:掺入硼涂层中的含氘氘的化学行为
机译:碳浓度对含碳硼薄膜中注入高能氘的化学行为的影响
机译:高能氘注入碳化钨的化学行为研究
机译:钨表面同时进行氦和氘离子双束注入
机译:映射与氢/氘交换蛋白质的快速光化学氧化质谱和丙氨酸剃须诱变的抗体/白介素-23相互作用的高能效表位。
机译:氘注入Y 2 sub> O 3 sub>掺杂和纯钨:氘保留和起泡行为
机译:(110)钨中低能氘注入的深度分布:理论模型