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机译:MOSFET中栅极与漏极低频噪声之间互相关测量的仪器设计
DEIS, University of Calabria, Via Pietro Bucci 42C, 87030 Arcavacata di Rende (CS), Italy;
DEIS, University of Calabria, Via Pietro Bucci 42C, 87030 Arcavacata di Rende (CS), Italy;
DFMTFA and INFM, University of Messina, Salita Sperone 31, 98166 Messina, Italy;
DEIS, University of Calabria, Via Pietro Bucci 42C, 87030 Arcavacata di Rende (CS), Italy;
DEIS, University of Calabria, Via Pietro Bucci 42C, 87030 Arcavacata di Rende (CS), Italy;
Low frequency noise; noise measurement; gate noise; drain noise; low noise instrumentation.;
机译:MOSFET栅极和漏极低频噪声之间互相关测量的仪器设计
机译:含Ha基栅极电介质的nMOSFET的漏极和栅极低频噪声的比较研究
机译:通过导电和低频噪声测量研究底栅纳米晶硅薄膜晶体管中的漏电流
机译:栅极仪表设计和漏极低频噪声测量设计
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机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明