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机译:用于600V应用的深沟槽超结二极管的设计与实现
CNRS, LAAS, 7 av. du colonel Roche, 31400 Toulouse, France,Univ de Toulouse, UPS, LAAS, 31400 Toulouse, France;
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superjunction diode; deep trench termination; BenzoCycloButene;
机译:GaN沟道结-势垒-肖特基二极管的设计与实现
机译:SIC挖沟肖特基二极管,具有梯度静态性能和大型设计窗口
机译:4H–SiC沟槽超结肖特基二极管台面宽度设计的研究
机译:600V高于600V的超级结MOSFET,通过深沟蚀刻和外延生长制造的并联栅极结构
机译:激光二极管到单模光纤的对接耦合和极短外腔的激光二极管:分析,实现和应用。
机译:混合纳米电子系统中的可控紊乱:超导二极管的实现
机译:设计用于深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离二极管作为静电放电保护
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计