机译:AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的介电定义工艺的比较研究
Basic Research Laboratory, ETRI, Daejeon, Korea;
GaAs; PHEMT; gate; recess; cut-off frequency; maximum oscillation frequency;
机译:AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMTs的介电定义工艺的比较研究
机译:臭氧水氧化技术对MOS栅/氧化物钝化AlGaAs / InGaAs pHEMT的比较研究
机译:高功率密度AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT,采用针对Ka频段应用的优化制造工艺
机译:热电子诱导的高效AlGaAs / InGaAs / AlGaAs VENT的降解
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:单向倾掺量的电子脉冲放松的高效质量和时间,具有高电子密度的单向Δ掺杂的PHEMT量子JAMAS / InGaAs / GaAs