机译:高密度250
Inst. of Electr. Eng., Beijing, China;
High-temperature techniques; Semiconductor device packaging; semiconductor device packaging; silicon carbide;
机译:在一毫米内实现高功率密度
机译:具有2.5 Gb / s / Pin输入/输出缓冲器的STM-16帧终端VLSI:高速和低功耗Multi-
机译:对
机译:250°C SiC高密度功率模块开发
机译:批量YBCO的临界电流密度的温度和场依赖性的比较,MGB