机译:3L-ANPC光伏逆变器中GaN HEMT和Si IGBT的可靠性驱动评估
Power Electronics, Machines and Control Research Group, University of Nottingham, Nottingham, U.K.;
Gallium nitride (GaN); photovoltaic (PV) systems; reliability; thermal loading analysis; three-level active neutral-point-clamped (3L-ANPC) converter; wide bandgap (WBG) power devices;
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准
机译:CF {sub} 4等离子处理的单片集成增强/耗尽模式AlGaN / GaN HEMT反相器和环形振荡器
机译:用于电源开关应用的GaN-on-Si MIS-HEMT中的综合动态导通电阻评估
机译:基于GaN HEMT的3L-ANPC逆变器的超低电感设计
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:3L-ANPC光伏逆变器中GaN HEMT和Si IGBT的可靠性驱动评估
机译:用于并网光伏系统的逆变器的工作原理和一些测试结果。第1部分:用于并网光伏系统的逆变器和mppT的工作原理,以及第2部分:弗劳恩霍夫逆变器和TUE-IGBT逆变器的实验对比分析结果