机译:基于平面和垂直各向异性的磁存储器中电流感应开关的综合缩放分析
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA;
Dual-pillar magnetic tunnel junction (MTJ); Landau–Lifshitz–Gilbert (LLG); readability; scaling; spin transfer torque based magnetic memories (STT-MRAMs); spin-orbit-torque magnetic tunnel junction (SOT-MTJ); writability;
机译:垂直各向异性的不均匀性导致磁存储位的开关电流色散
机译:一阶和二阶垂直磁各向异性的磁性结构中自旋霍尔效应引起的临界开关电流密度
机译:平面内电流引起的单个垂直磁化层的热辅助磁开关
机译:平面和垂直各向异性磁隧道结的尺度分析基于物理模型
机译:用于减小电流的开关设备的垂直磁各向异性材料。
机译:一阶和二阶垂直磁各向异性的磁性结构中自旋霍尔效应引起的临界开关电流密度
机译:面内电流引起垂直切换的反转机制 在单个铁磁层中