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【24h】

Hochimpedante Störeinkopplung in geschirmte Kabel der Leittechnik hinein

机译:高阻抗干扰耦合到控制技术的屏蔽电缆中

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摘要

Schalthandlungen in der Nähe von geschirmten Kabeln der Leittechnik führen nicht nur zu Strömen I_a sondern auch zu hohen normalen elektrischen Feldstärken E_n auf dem Kabelschirm. Die Auswirkung des Stroms I_aauf die Vorgänge im Kabelinnem wird mit der komplexen Kabeltransferimpedanz Zr' beschrieben. Die Auswirkung des elektrischen Feldes E_n kann Uber die komplexe Kabeltransferadmittanz Y_T ' bestimmt werden. Der Bettrag stellt experimentelle Untersuchungen zur Bestimmung der komplexen Kabeltransferadmittanz Y_T ' vor und geht der Frage nach, wie die Größen Y_T ' und Z_T ' von der Qualität des Kabelschirms abhängen. Die numerische Analyse einer gegebenen Anordnung ermöglicht eine Abschätzung, inwieweit die komplexe Kabeltransferadmittanz Y_T ' gegenüber der komplexen Kabeltransferimpedanz Z_T ' bei der Analyse der Störeinkopplung berücksichtigt werden muß.
机译:屏蔽控制技术电缆附近的开关操作不仅会导致电流I_a,而且还会导致电缆屏蔽层产生较高的正常电场强度E_n。电流I_a对电缆内部过程的影响用复数电缆传输阻抗Zr'描述。电场E_n的影响可以通过复数电缆传输导纳Y_T'确定。本文介绍了确定复合电缆传输导纳Y_T'的实验研究,并探讨了尺寸Y_T'和Z_T'如何取决于电缆屏蔽层的质量。在分析干扰耦合时,给定装置的数值分析使得可以估计必须将复合电缆传输导纳Y_T'与复合电缆传输阻抗Z_T相比较的程度考虑在内。

著录项

  • 来源
    《Elektrie》 |2019年第7231期|11-13|共3页
  • 作者

    S. Helmers; K. H. Gonschorek;

  • 作者单位

    Technische Universität Dresden Mommsenstr. 13 01062 Dresden;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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