The data retention control in NAND FLASH memory type

摘要

Czas upływności danych jest bardzo ważnym parametrem pamięci typu NAND FLASH. Upływność jest zależna od stopnia degradacji parametrów komórek pamięci, spowodowanych cyklami programowania/ kasowania oraz silnie zależy od temperatury. Skutkiem zaistnienia nadmiernej upływności są niekorygowane błędy w danych i w konsekwencji ich utrata. Ze względu na możliwość utraty danych, powinna być kontrolowana upływność a obszary charakteryzujące się czasem upływności krótszym od wyspecyfikowanego powinny być wykluczone z użytkowania. Jak wskazują przeprowadzone badania, wynik kontroli jest obarczony pewnym błędem. Błąd ten wynika z zasady działania układu pamięci oraz ograniczonej skuteczności diagnostycznej metod możliwych do zastosowania. Artykuł ten w pełni poświęcony jest badaniu upływności w NAND FLASH typu MLC i powstawaniu błędu kwalifikacji. Skuteczność diagnostyczną oraz błąd kwalifikacji ustalono na podstawie symulacji komputerowej. Wskazano również metody pozwalające na obniżenie jego wartości.%The data retention time is a very important parameter of NAND FLASH memory. The retention depends on the degradation level of memory cells parameters and it especially significantly depends on temperature. As an effect of the retention failures are the uncorrectable data errors and finally their loss. Because of it, data retention time should be checked and memory blocks with retention time shorter than specified should be excluded from further use. As indicated by studies, the test is burdened with some imperfections. An efficiency of data retention checking is limited, what is caused by memory construction and limited efficiency of control procedures, especially applying to a mass storage device. This article is focused entirely on data retention in NAND FLASH and on qualification errors. The diagnostic efficiency and the qualification errors were estimated by the use of computer simulation. Moreover, methods which allow reducing error value were proposed.