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【24h】

Abschätzen des Temperaturanstiegs in einem Hot-Swap-MOSFET

机译:估算热插拔MOSFET的温升

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摘要

In diesem Power-Tipp beschäftigen wir uns nochmal mit einem einfachen Verfahren zum Abschätzen des Temperaturanstiegs eines Hot-Swap-MOSFETs. Im Power-Tipp Nr. 28 haben wir die Herleitung eines elektrischen Ersatzschaltbildes betrachtet, das man heranziehen kann, um das Problem des Temperaturanstiegs zu lösen. In diesem Modell wurde die Wärmequelle durch eine Stromquelle repräsentiert.Der thermische Widerstand und die thermische Kapazität wurden anhand der physikalischen Eigenschaften der Systemkomponenten berechnet. Die Spannungen innerhalb des Ersatzschaltbildes repräsentierten Temperaturen. In diesem Artikel wollen wir das Übergangsverhalten des Modells in Bild 1 mit den veröffentlichten Kurven für den sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) des Bauteils in Bild 3 vergleichen.
机译:在本电源技巧中,我们将再次介绍一种简单的方法来估算热插拔MOSFET的温度上升。在第28号电源提示中,我们研究了等效电路图的推导,该等效电路图可用于解决温度上升问题。在此模型中,热源由电源表示,并且热阻和容量是根据系统组件的物理属性计算的。等效电路图中的电压表示温度。在本文中,我们想将图1中的模型的过渡行为与图3中组件的安全操作区(SOA)的已发布曲线进行比较。

著录项

  • 来源
    《Elektronikpraxis》 |2012年第4期|p.22|共1页
  • 作者

    ROBERT KOLLMAN;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ger
  • 中图分类
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