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机译:光化学气相沉积制备非晶碳/晶体硅高压异质结二极管
Dept. of Electr. Eng., Nat. Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan;
amorphous semiconductors; carbon; chemical vapour deposition; elemental semiconductors; hydrogen; p-n heterojunctions; semiconductor diodes; silicon; amorphous C:H-Si; forward voltage; high reverse breakdown voltage; high voltage heterojunction diode; photochemical vapour deposition;
机译:氮稀释的氢化非晶碳(n型a-C:H)薄膜的特性及其在n型a-C:H / p型晶体硅异质结二极管中的实现
机译:氟掺入对非晶碳/ p型晶体硅异质结二极管性能的影响
机译:n型四面体非晶碳(ta-C)/ p型晶体硅异质结二极管的性能
机译:d.c.制备的高沉积速率的薄膜氢化非晶硅。氦稀释的硅烷的等离子体增强化学气相沉积
机译:使用基于栅格的三极管射频等离子增强化学气相沉积法获得高质量的非晶态晶体硅异质结构。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:氧化铟锡双层对氢化非晶硅/晶体硅杂硅杂硅杂交异质结的影响
机译:通过高级硅烷的化学和光化学气相沉积制备的非晶硅光伏器件:年度分包报告,1986年9月1日至1987年8月31日。