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Intervalence band absorption coefficient measurements in bulk layer, strained and unstrained multiquantum well 1.55 mu m semiconductor lasers

机译:体层,应变和非应变多量子阱1.55μm半导体激光器中的间隔带吸收系数测量

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摘要

Measurements are reported of intervalence band absorption (IVBA) coefficient k/sub 0/ in three types of active layer structure: bulk, unstrained (MQW) and strained multiquantum wells. The IVBA measurements are performed by observing the spontaneous emission from the uncleaved facets of DCPBH Fabry-Perot lasers. k/sub 0/=(3.7+or-0.3)*10/sup -17/ cm/sup 2/ is obtained for bulk, (1.4+or-0.2)*10/sup -16/ cm/sup 2/ for MQW unstrained and (3.5+or-0.3)*10/sup -17/ cm/sup 2/ for strained MQW structures.
机译:报告了在三种类型的有源层结构中的间隔带吸收(IVBA)系数k / sub 0 /的测量结果:体孔,非应变(MQW)和应变多量子阱。 IVBA测量是通过观察DCPBH Fabry-Perot激光器未切割面的自发发射来进行的。 k / sub 0 / =(3.7+或-0.3)* 10 / sup -17 / cm / sup 2 /用于散装,(1.4+或-0.2)* 10 / sup -16 / cm / sup 2 /用于散装MQW未应变,对于应变的MQW结构,(3.5+或-0.3)* 10 / sup -17 / cm / sup 2 /。

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