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机译:体层,应变和非应变多量子阱1.55μm半导体激光器中的间隔带吸收系数测量
France Telecom, CNET, Lannion, France;
laser transitions; laser variables measurement; semiconductor lasers; 1.55 micron; DC-PBH; DCPBH Fabry-Perot lasers; absorption coefficient measurements; active layer structure; bulk layer; double channel; intervalence band; multiquantum well; planar buried heterostructure; spontaneous emission; strained MQW structures; uncleaved facets; unstrained MQW;
机译:在1.55μm压缩应变的InGaAs / InP激光二极管中检查间隔带吸收及其因应变引起的衰减
机译:部分增益耦合的1.55μm应变层多量子阱DFB激光器
机译:具有应变层多量子阱有源光栅的1.55μm折射率/增益耦合DFB激光器
机译:1.55 / spl mu / m InGaAsP / InP应变MQW增益耦合DFB激光器中InGaAs吸收光栅结构的比较
机译:铝镓铟砷化物应变层多量子阱半导体光放大器的线性和非线性吸收动力学特性。
机译:使用扫描近场光学显微镜观察和测量单双层磷脂膜的局部吸收系数
机译:直接测量大的近频边缘非线性指数从ingaAs / Inalgaas Multiquantum井中的1.48变为1.55μm
机译:高速,应变层,多量子阱,GaInasp和Gaas激光器和异质结构