...
首页> 外文期刊>Electronics Letters >Low threshold 2.72 /spl mu/m GaInAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-well laser
【24h】

Low threshold 2.72 /spl mu/m GaInAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-well laser

机译:低阈值2.72 / spl mu / m GaInAsSb / AlGaAsSb多量子阱激光器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Ridge waveguide GaInAsSb/AlGaAsSb laser diodes, working continuous wave at room temperature with an emission wavelength of 2.72 /spl mu/m, are presented. A threshold current density as low as 356 A/cm/sup 2/ has been obtained for devices with 30 /spl mu/m stripe width and 1.5 mm cavity length in pulse mode at room temperature.
机译:提出了脊形波导GaInAsSb / AlGaAsSb激光二极管,它们在室温下以2.72 / spl mu / m的发射波长工作于连续波。对于在室温下以脉冲模式具有30个/ splμ/ m的条带宽度和1.5 mm的腔长的器件,已获得低至356 A / cm / sup 2 /的阈值电流密度。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号