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机译:f T sub> / f max sub>的149/263 GHz高频AlGaN / GaN HFET用于D波段PA应用
Hebei Semiconductor Research Institute, People's Republic of China;
机译:高频增强型毫米毫米波/ GaN HEMT,FT / FMAX超过100 GHz / 200 GHz
机译:AlGaN / GaN HFET的小信号等效电路建模:确定AlGaN / GaN HFET电路元件的混合提取方法
机译:然后讨论AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因
机译:具有163 GHz f / sub T /和184 GHz f / sub max /的Cat-CVD SiN绝缘栅AlGaN / GaN HFET
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型