Der ESBT - Emitter Switched Bipolar Transistor

摘要

Die in den 80er Jahren entwickelte ESBT-Technologie (Emitter Switched Bipolar Transistor) entstand aus der Forderung nach einem Bipolartransistor, der schneller schaltet als die zu dieser Zeit verfügbaren Typen. Die Technologie wurde teilweise bis 1985 eingesetzt, ihre Marktdurchdringung wurde aber mit dem Erscheinen der IGBTs gestoppt, die zwar weniger effizient waren, aber viel preiswerter. Was nun die ESBT-Technologie heute wieder interessant macht, ist, dass sie in einer Kaskodentopologie über einen rechteckigen sicheren Arbeitsbereich RBSOA Reverse Biased Safe Operating Area verfügt in Kombination mit einem Niederspannungs-Leistungs-MOSFET mit sehr geringemrnEinwiderstand RDS(on) und damit nahezu identisch mit einem idealen Schalter im ON-Zustand.