Les flash Nandcorrigent leurs propres erreurs

摘要

A mesure que les géométries de fabrication de circuits Cmos rapetissent, les problèmes induits par cette miniaturisation (notamment les courants de fuite grandissants) ne cessent de poser de nouveaux défis aux concepteurs. En première ligne se situent notamment les mémoires, dans lesquelles de multiples artifices permettent d'assurer la fiabilité des données jusque dans les toutes dernières générations de composants. Ainsi, les mémoires flash fabriquées en technologie Cmos 24nm, et moins, ont besoin de mécanismes de correction d'erreurs. Car ces fautes tendent à se multiplier à mesure que les géométries diminuent, a fortiori pour les technologies à cellules multi-niveaux (MLC). INTEL ET MICRON PASSENT LEUR FLASH AU 20 nm 1.Samsung avait récemment été le premier à annoncer le passage de ses mémoires flash Nand multiniveaux (MLC) au 20nm. Il est aujourd'hui rejoint par Intel et Micron. Les deux américains, réunis au sein de leur société commune IM Flash Technologies, viennent en effet de dévoiler une puce MLC (deux bits par cellule) de 8 Go en technologie Cmos 20 nm. La puce ne mesure que 118 mm~2 de silicium, soit 30 à 40% de moins que la précédente génération gravée en TA ou 25 nm. Elle peut ainsi se glisser dans l'encombrement d'une carte microSD. Cette mémoire