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STMicrolectronics et Rambus règlent leurs différends et renforcent leur coopération

机译:意法半导体和Rambus解决分歧并加强合作

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摘要

STMicroelectronics vient d'annoncer la signature d'un accord de grande envergure avec Rambus qui étend les accords de licence existants entre les deux entreprises, met un terme à toutes les actions en justice en cours, et engage les deux sociétés à étudier de nouvelles possibilités de collaboration. Cet accord en plusieurs volets permet à Rambus d'accéder à l'environnement de conception basé sur la technologie Siliciumrnsur isolant totalement déplétée FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator) de ST. Rambus pourra ainsi tirer parti des géo-métries microélectroniques réduites et de la faible consommation d'énergie qu'offre la filière FD-SOI dans les nœuds de 28 nm et inférieurs pour ses futures solutions d'interface mémoire.
机译:意法半导体(STMicroelectronics)刚刚宣布与Rambus签署一项大规模协议,该协议扩展了两家公司之间的现有许可协议,终止了所有正在进行的法律程序,并敦促两家公司探索新的可能性合作。该多部分协议允许Rambus访问基于ST完全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)完全硅绝缘技术的设计环境。因此,Rambus将能够利用FD-SOI扇区在28 nm及更低节点上所具有的微电子几何尺寸减小和低能耗的优势,来为其未来的存储器接口解决方案。

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    《Electronique》 |2013年第40期|29-29|共1页
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