Ein Blitz mit niedrigen Strömen

摘要

Reprogrammierbare EEPROMs in Floating-Gate-Technologie - bezeichnet man sie nun als Flash-Speicher, PEROMs oder EEPROMs mit byteweisem Zugriff- lassen sich gut bezüglich der Eigenschaften Leistungsfähigkeit, Kosten, Zuverlässigkeit und Technologie vergleichen. Leistungsfähigkeit, Kosten und Zuverlässigkeit hängen direkt vom Entwurf und vom Herstellungsprozeß ab. Dieser Artikel vergleicht die drei wichtigsten Technologien: die „Stacked-Gate-Zelle", die „Zwei-Transistor-Zelle" mit jeweils dünnem Oxid sowie die „Split-Gate-Zelle" mit dickem Oxid.