Der IGBT-Report

摘要

Seit den ersten IGBTs im Jahre 1983 haben sich diese Leistungshalbleiter enorm weiterentwickelt. Das Produktspektrum deckt heute typischerweise Spannungen von 600 V bis 3,3 kV ab. Die gängigsten Typen sind PT-, NPT- und FS-IGBTs, wobei zunehmend mit modernen Konzepten wie dünngeschliffenen Wafern, Erhöhung der Ladungsträgerkonzentration und Super-Junction gearbeitet wird. Die heutigen Fortschritte in der Leistungselektronik wurden in erster Linie durch wichtige Weiterentwicklungen bei den Leistungshalbleitern möglich. Durch die stetig steigenden Anforderungen an die effiziente Steuerung von Leistungsumsetzern und Positioniersystemen konnte man eine relativ schnelle Evolution bei den Leistungs-Halblei-terbauelementen beobachten.