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Hohe Integration Und Geringe Schaltverluste

机译:高集成度和低开关损耗

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摘要

Die MIPAQ-Module von Infineon weisen dank IGBT4-Chips um etwa 20 % gegenüber der IGBT3-Generation reduzierte Schaltverluste auf. Das Modul MIPAQbase mit integrierten Shunts ist nur 17 mm hoch und eignet sich für den Einsatz in System-Designs mit geringer Induktivität in Industrieantrieben. Die Integration der Shunts verbessert die Wärmeableitung zum Kühlkörper. Auf Basis der IGBT4-Chiptechnologie haben die Module einen Nennstrom bis zu 150 A in der 1200-V-Klasse in der Konfiguration mit sechs IGBTs und NTC-Widerstand zur Temperaturmessung. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt + 150 ℃.
机译:得益于IGBT4芯片,英飞凌的MIPAQ模块的开关损耗比IGBT3一代低约20%。带有集成分流器的MIPAQbase模块仅高17 mm,适用于工业驱动器中低电感的系统设计。分流器的集成改善了散热片的散热。基于IGBT4芯片技术,在具有六个IGBT和NTC电阻进行温度测量的配置中,模块在1200 V级中的标称电流高达150A。最高结温为+ 150℃。

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    《Elektronik 》 |2008年第26期| 58| 共1页
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