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杨清; 王连春; 迟振祥;
国防科技大学 湖南长沙410073;
绝缘栅极晶体管; PSpice仿真; 损耗功率;
机译:具有高 $ dI / dt $ tex-math> inline-formula>和的低开关损耗FD-IGBT的仿真研究公式> $ dV / dt $ tex-math> inline-formula>可控制性
机译:通过有源电压控制研究高斯S形高斯IGBT开关瞬态中开关损耗与EMI产生之间的权衡
机译:三门IGBT电源芯片降低开关损耗
机译:硬开关,零电压切换和零电流切换下IGBTS开关损耗的比较研究
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:影像引导近距离放射疗法(IGBT)结合全盆腔调强放射疗法(WP-IMRT)治疗局部晚期宫颈癌:泰国清迈大学医院的前瞻性研究
机译:IGBT桥式功率变换器开关损耗的估算
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:动态IGBT门驱动器降低开关损耗
机译:具有主动关断功能的IGBT栅极驱动器可减少开关损耗
机译:双模IGBT栅极驱动器可降低开关损耗
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