Les composants basés sur des substrats de type FD-SOI ne représentent qu'une toute petite portion de la production de semi-conducteurs, mais ils n'en constituent pas moins des options intéressantes pour toutes les applications où la sobriété énergétique s'impose comme le critère de choix numéro un. Rappelons que les substrats FD-SOI (fully depleted silicon on insuhtor) reposent sur une couche isolante qui réduit drastiquement les courants de fuite tout en augmentant la robustesse des composants. Exemple récent de l'efficacité énergétique des substrats FD-SOI : la famille Certus-NX de FPGA que vient de lancer Lattice Semiconductor. Ces modèles combinent un encombrement réduit (à partir de 6x6mm) et le support d'interfaces rapides PCI Express Gen 2 à 5 Gbit/s, Gigabit Ethernet et DDR3 1 066 Mbit/s. Deuxième famille de la gamme Nexus fabriquée dans la technologie FD-SOI 28 nm à faible consommation de Samsung, les Certus-NX embarquent jusqu'à 39000 cellules logiques, 2,9 Mbits de mémoire, 56 multi-plieurs 18x18, 192 entrées/ sorties programmables et deux convertisseurs analogique-numérique 12 bits 1 Méch./s à approximations successives. Un bloc de cryptage de données AES-256 assure la sécurité de l'application en protégeant le fichier de configuration (bitstream) contre l'accès, l'altération et la copie. Les entrées/ sorties sont configurées en 3 ms, l'ensemble de la puce en 8 à 14 ms selon les modèles.
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