机译:650V沟槽式IGBT具有30至200A的额定电流
机译:“XS系列”650 V离散IGBT
机译:“XS系列”650 V离散IGBT
机译:高速650V IGBT改善了开关性能
机译:使用010定向沟槽侧壁的低漏电流和高沟道迁移率的600 V额定n沟道沟槽IGBT
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:副海生细菌的生理和基因组特征。十一月sp。十一月一种从马里亚纳海沟的深海水中分离出来的新型亲油细菌
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流