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机译:SOI(绝缘体上的硅)-材料和器件
Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Institute of Technology ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland;
机译:双离子注入合成的绝缘体上硅(SOI)器件的结构和表面改性研究
机译:绝缘体上硅材料的器件加工中的应变效应
机译:陡峭的切换完全耗尽的绝缘体(FDSOI)相变场效应晶体管,具有优化的HFO 2 / Al 2 O 1 - 基于多层的阈值开关装置
机译:静电放电(ESD)保护电路设计的绝缘硅(SOI)绝缘栅PN结器件的器件模型
机译:硅的激光束处理:绝缘体上硅材料和器件的激光退火和激光重结晶研究
机译:使用完全耗尽的绝缘体上硅器件的基于电容的Co-60辐射剂量学
机译:极端温度应用的绝缘体上硅(SOI)器件和混合信号电路