机译:高K金属栅CMOS技术中自对准氮化物逻辑非易失性存储单元的片内恢复操作
Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Charge Pumping; Charge pumping; Nonvolatile Memory; Reliability; Self -Recovery; nonvolatile memory; reliability; self-recovery;
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式逻辑兼容的多次可编程的非易失性存储元件,用于高k金属门CMOS技术
机译:新型28 nm高k金属栅极CMOS逻辑一次性可编程存储单元
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:基于自对准氮化物的逻辑NVM采用28nm高k金属栅极CMOS技术
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:低压非易失性复合半导体存储单元的室温操作
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术