...
机译:关于“ IBM SiGe混合信号技术的早期历史”的评论
Agere Syst., Murray Hill, NJ, USA;
Ge-Si alloys; heterojunction bipolar transistors; history; chemical vapour deposition; semiconductor materials; SiGe bipolar devices; SiGe mixed signal technology; historical development; Gummel plot characteristics; IBM; CVD technique; SiGe;
机译:适用于低压混合信号应用的0.13 / splμ/μm的多SiGe栅极CMOS技术
机译:采用IBM SiGe BiCMOS技术实现的高速,低功耗数字和模拟电路
机译:RF Micro将采用IBM SiGe技术
机译:使用IBM设计套件以0.18um SiGe BiCMOS技术演示SiGe RF LNA设计
机译:用混合信号技术和新兴技术构建高效神经网络
机译:有症状的阵发性运动性运动障碍的皮肤和混合神经沉默期记录。
机译:采用0.13um siGe BiCmOs技术的数字控制阈值调整电路,用于接收高达80Gbps的多电平信号
机译:评估美国宇航局任务中极端温度使用的COTs siGe,sOI和混合信号电子部件