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机译:跳模对InGaAsP Fabry-Perot多量子阱激光二极管噪声特性影响的实验研究
Dept. of Radiophys., Vilnius Univ., Lithuania;
indium compounds; gallium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; quantum well lasers; laser noise; semiconductor device noise; Fabry-Perot resonators; laser cavity resonators; fluctuations; mode-hopping effect; noise properties; optical n;
机译:通过低频噪声研究分析法布里-珀罗多量子阱激光二极管的模式跳跃效应
机译:量子噪声对1.3μmInGaAsP / InP激光二极管直接调制特性的影响
机译:量子噪声对1.3μmInGaAsP / InP激光二极管直接调制特性的影响
机译:InGaAsP激光二极管质量调查及其噪声特性
机译:研究用于下一代光电模数转换器的主动对接半导体二极管激光器的噪声特性。
机译:III和N极性纳米柱紫外线多量子阱发光二极管的发光特性和表面钝化机理
机译:InGaas / InGaasp多量子阱激光放大器中噪声系数的波长依赖性
机译:直接调制下1.3微米InGaasp二极管激光器的光谱特性。