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机译:速度饱和下MOSFET小信号NQS参数异常高频行为的紧凑建模
Mobility degradation; MOSFET compact model; Nonquasi-static (NQS) effect; Y -parameters;
机译:一种新的MOSFET非准静态(NQS)效应建模方法-第二部分:小信号分析
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机译:现代MOSFET的高频噪声:紧凑的建模和测量问题
机译:在速度饱和的情况下MOSFET小信号NQS参数异常高频行为的紧凑模型
机译:双栅MOSFET量子效应的紧凑模型。
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:漏极电流模型,包括对称双栅极MOSFET的速度饱和
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