...
机译:$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {SiO} _ {2} $在4H SiC上堆叠栅极电介质的改进的电子性能
MIS devices; MOS capacitors; hafnium compounds; high-k dielectric thin films; interface states; silicon compounds; wide band gap semiconductors; 4H SiC (0001); HfO2-SiO2-SiC; Interface; MOS characteristics; effective oxide charge; electronic;
机译:具有$ hbox {SiO} _ {2} $和hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} hbox {/} hbox {SiO}的高性能4H-SiC基金属-绝缘体-半导体紫外光电探测器} _ {2} $电影
机译:用于4H-SiC的辐射硬电介质:$ hbox {SiO} _ {2} $和$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $的比较
机译:通过在
机译:原子层沉积HFO {Sub} 2 / No-氮化SiO {Sub} 2栅极介质堆栈的界面研究
机译:AL的制造:HFO2栅极电介质MOSFET
机译:HfO2 / SiO2叠层隧道电介质的SiN薄膜中离子注入能量对Ge纳米晶体合成的影响
机译:HfO2 / SiO2 / SiC栅介质堆叠的能带对准。 ud
机译:国际器件技术研讨会:用于未来硅基微电子的siO2作为栅介质的替代品