机译:偏置完全耗尽基于SOI的MOSFET纳米带pH传感器方法的比较
The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA;
Capacitive coupling; floating gate; fully depleted silicon-on-insulator (SOI); ion-sensitive field-effect transistor (ISFET); pH sensor;
机译:完全耗尽型绝缘硅上的MOSFET在扩展温度范围和反向偏置操作下的随机电报噪声的电特性
机译:用不同几何形状的完全耗尽的SOI NMOSFET对最坏情况偏置条件的总剂量响应的比较
机译:考虑第一性原理带结构效应的硅纳米线和石墨烯纳米带MOSFET的性能潜力比较
机译:比较电流抑制方法以增强1.2 kV SiC功率MOSFET的短路能力:使用串联连接的栅源短路Si耗尽型MOSFET的新方法与串联电阻的使用
机译:在绝缘体纳米MOSFET上使用单层栅极完全耗尽的硅进行分子感测。
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFET,PN结二极管和电阻器
机译:石墨烯纳米带中交换偏压的动态响应。