机译:隔离特征几何形状对AlGaN / GaN HFET自热的影响
Department of Electrical and Computer Engineering, Concordia University, Montreal, QC, Canada;
Aluminum gallium nitride; Gallium nitride; HEMTs; Heating; Logic gates; MODFETs; Temperature measurement; AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor (HFET); channel temperature; isolation geometry; self-heating; self-heating.;
机译:极性AlGaN / GaN HFET的替代隔离特征几何和极化工程
机译:隔离特征尺寸和几何形状对AlGaN / GaN异质结构内建应变和二维电子气体密度影响的理论评估
机译:使用厚的AlN表面钝化膜减少AlGaN / GaN HFET中的自热
机译:多指ALGAN / GAN HFET中的自热效果
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究