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机译:场效应晶体管的斜场板模型
Department of Research and Development, TriQuint, Richardson, TX, USA;
Capacitance; Electric potential; Insulators; Logic gates; Metals; Permittivity; Transistors; Electric field effects; field-effect transistors (FETs); high-voltage techniques; power semiconductor devices; semiconductor device breakdown; transistors; transistors.;
机译:GaN纳米线场效应晶体管和带间隧穿场效应晶体管的建模与性能分析
机译:全GaN级联异质结场效应晶体管中的场板设计
机译:高击穿电压Beta-Ga2O3纳米效应晶体管的现场板工程
机译:利用场板抑制隧道场效应晶体管中的双极性电流
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:少数分层p-WSe2场效应晶体管中的霍尔效应和场效应迁移率
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)