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机译:在相变纳米器件中实现具有稳定电阻水平的每单元多位存储操作
Department of Physics, Bogazici University, Istanbul, Turkey;
Multiple-bit-per-cell memory; phase change memory (PCM); resistance drift;
机译:使用双相变材料堆栈实现具有多级电阻的相变随机存取存储器
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机译:通过低电流SET预操作实现用于高密度存储的超低程序电流和多级相变存储器
机译:横向相位变化内存中的多级存储:从3到16个电阻水平
机译:基于多级单元相变存储器的主存储器的架构技术。
机译:稳定的肾移植接受者的估计肾小球滤过率(eGFR)变化反映了他克莫司谷水平的降低:最佳3期随机对照研究的结果
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