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机译:双谷半导体和装置的1-D漂移 - 扩散仿真
Tech Univ Dresden Chair Elect Devices & Integrated Circuits D-01062 Dresden Germany;
Univ Paris Saclay Ctr Nanosci & Nanotechnol CNRS F-91120 Palaiseau France;
Tech Univ Dresden Chair Elect Devices & Integrated Circuits D-01062 Dresden Germany;
Semiconductor device modeling; Limiting; Computational modeling; Metals; Mathematical model; Electric fields; Standards; III–V semiconductors; charge carrier transport; drift-diffusion (DD); heterojunction bipolar transistor (HBT); negative differential mobility (NDM); technology computer-aided design (TCAD);
机译:用于有机半导体器件的S形电流关系的漂移扩散模拟
机译:改进的漂移扩散模型,用于模拟有机半导体器件中跨层界面的电荷传输
机译:量子校正漂移扩散模型在纳米半导体器件中隧穿效应的数值模拟
机译:用于纳米级半导体器件的3D模拟的代码,包括1D和2D子带中的漂移扩散和弹道传输以及3D隧穿
机译:使用漂移扩散方程模拟锑化铟装置。
机译:球形谐波扩展方法在半导体器件仿真中的最新进展综述
机译:纳米级半导体器件中的量子校正漂移扩散建模和隧穿效应仿真