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机译:使用热生长TiO的GaN基MOS-HEMT中的栅极电流降低和改善的DC / RF特性
Department of Electrical Engineering IIT Bombay Mumbai India;
Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; Logic gates; HEMTs; MODFETs; Leakage currents; Dielectrics;
机译:GaN基MOS-HEMT的热生长TiO 2 sub>和Al 2 sub> O 3 sub>
机译:热生长的TiO_2和Al_2O_3基AlGaN / GaN MOS-HEMT中的拉伸应变和费米能级取向
机译:通过MOCVD生长的凹栅GaN基HFET的直流特性改善
机译:HCl预处理对MOCVD生长Al2O3栅介质的AlGaN / GaN MOS-HEMT结构中氧化物/半导体界面态密度的影响。
机译:改进GaN的LLC谐振转换器的技术,用于宽输入电压,高输出电流AC-DC和DC-DC应用
机译:热退火后冷却过程中天然TiO2(110)表面的自还原性–随钻研究
机译:基于SI,SiC和GaN的功率半导体器件结合电流馈电DC-DC谐振转换器的比较性能和评估研究
机译:mOCVD生长的TiO2薄膜和TiO2 / al2O3界面的电子显微镜研究。