...
机译:用于增加2DEG的低漏电流AlN / GaN MOSHFET
Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong;
$hbox{Al}_{2}hbox{O}_{3}$ passivation; AlN; GaN; heterostructure field effect transistors (HFETs);
机译:MOCVD原位SiN_x栅极电介质用于Si上的低漏电流超薄势垒AlN / GaN MISHEMT
机译:硅衬底上生长的高性能低漏电流AlN / GaN HEMT
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:i-GaN封盖的AlGaN / AlN / GaN HEMT中2DEG和2DHG的建模
机译:Algan / GaN Moshfet使用ALD电介质:性能和可靠性研究
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响