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机译:插入HfO 2 sub>层改善基于Al-Zn-Sn-O的Al-Zn-Sn-O基存储器件的电阻切换均匀性
Department of PhotonicsInstitute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Aluminum compounds; Amorphous semiconductors; Hafnium compounds; Nonvolatile memory; Random access memory; Resistance; AZTO; RRAM; Resistive switching; localized conducting filament; localized conducting filament.;
机译:AIO_X层对双层基于HfO_x的电阻式随机存取存储设备的电阻切换特性和设备间一致性的影响
机译:具有钛膜的基于HfO_x的电阻式随机存取存储器的开关均匀性的改善以及钛对电阻开关行为的影响
机译:通过在基于HfO 2 sub>的电阻随机存取存储器中插入铟锡氧化物层作为氧离子存储库来稳定电阻开关特性
机译:使用新型扩散方法改善Al掺杂HfO2电阻开关存储器件的均匀性
机译:电阻式切换存储器和可重配置设备。
机译:通过更改顶部电极材料来改善三层CeO2 / Ti / CeO2电阻开关器件的耐久性和周期间一致性
机译:基于HfO2的存储设备中电阻切换对原子层沉积参数的依赖性
机译:具有snse和snse2晶体的器件中的极性相关存储器切换。