机译:基于HfO2的存储设备中的电阻切换对原子层沉积参数的依赖性
机译:基于HFO2的集成1晶体管-1电阻器电阻随机存取存储器的材料见解,由批量原子层沉积处理
机译:不同电极材料的HFO2电阻随机存取存储器件的电阻切换机构和整流特性研究
机译:原子层沉积温度对HfOx电阻式RAM器件开关特性的影响
机译:用于非易失性电荷存储存储设备的铂纳米粒子和高k电介质的原子层沉积。
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:基于HFO2的集成1晶体管-1电阻器电阻随机存取存储器的材料见解,由批量原子层沉积处理
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。