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Discrete Semiconductors

机译:分立半导体

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摘要

New devices in the vendor's Gen III TrenchFET power-MOSFET line include two 20V and two 30V N-channel devices. The units have a 76.6-mΩ-nC on-resistance×gate-charge figure of merit of 4.5V and a 117.6.-mΩ-nC on-resistance-×gate-charge figure of merit of 10V. A high-side MOSFET in synchronous-buck converters saves power in notebook computers, VRMs (voltage-regulator modules), servers, and other systems using POL power conversion. The vendor claims a 45% gate-charge reduction using TurboFET technology with a charge-balanced drain structure, enabling lower switching losses and faster switching. The Gen III Trench-FETs are available in PowerPak 1212-8 and PowerPak SO-8 packages, and prices start at 32 cents (100,000).
机译:供应商的第三代TrenchFET功率MOSFET系列中的新器件包括两个20V和两个30V N沟道器件。这些单元的导通电阻为76.6mΩ-nC×栅极电荷品质因数为4.5V,导通电阻为117.6.-mΩ-nC×栅极电荷品质因数×栅极电荷的品质因数为10V。同步降压转换器中的高端MOSFET可以节省笔记本电脑,VRM(稳压器模块),服务器以及其他使用POL功率转换的系统的功率。供应商声称,采用TurboFET技术和电荷平衡的漏极结构可将栅极电荷降低45%,从而可降低开关损耗并加快开关速度。第三代Trench-FET采用PowerPak 1212-8和PowerPak SO-8封装,起价为32美分(100,000)。

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  • 来源
    《Electrical Design News》 |2009年第1期|60|共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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