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Next-Generation Power MOSFETs For Next-Generation Vehicles

机译:下一代汽车的下一代功率MOSFET

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摘要

With a range of voltages from 40 to 250V, three can sizes and silicon optimized for either Low Rds(on), low Qg or logic level operation the product family can address a broad range of applications from class D audio, to electric power steering, inverters, DC/DC converters, HID, battery switches, braking and injection applications. These new power MOSFET solutions address the key issues faced by design engineers, enabling them to meet the key benchmarks of performance, power density and efficiency required to make the electrification of the automobile a lasting success.
机译:该产品系列具有40至250V的电压范围,三种罐尺寸以及针对低Rds(on),低Qg或逻辑电平操作进行了优化的硅片,可满足从D类音频到电动助力转向的广泛应用,逆变器,DC / DC转换器,HID,电池开关,制动和喷射应用。这些新型功率MOSFET解决方案解决了设计工程师面临的关键问题,使他们能够满足使汽车电气化取得持久成功所需的性能,功率密度和效率的关键基准。

著录项

  • 来源
    《ECN》 |2011年第2期|p.s8s10|共2页
  • 作者

    Benjamin Jackson;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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