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机译:基于特定导通电阻的MOSFET闸门华夫饼干比较
Power MOSFETwaffle MOSFETintegratedcircuitsspecific on-resistance;
机译:沟槽栅超结MOSFET导通电阻的数值分析
机译:超低比导通电阻UMOSFET结构的比较:ACCUFET,EXTFET,INVFET和常规UMOSFET
机译:具有双栅极和凹入漏极的低比导通电阻SOI MOSFET
机译:30 V P沟道沟槽栅DMOSFET,在2.7 V时具有900 / spl mu // spl Omega / -cm / sup 2 /比导通电阻
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:图4:(a)一种保守序列,其发生在芯片-SEQ数据集中的46,264个结合位点峰值中的79倍。说明了这种保守序列的突变分布,其中'_'表示该碱度不变; del表示此基础丢失; INS X表示新的基础X插入此基础前面。 (b)列出了几种重复的元素模式。 (c)在第一栏中,示出了由MEME芯片工具(Machanick&Bailey,2011)开采的前五个DNA主题。由CFSP算法发现的相应保守序列列于第二列中。在第三列中,列出了从突变信息转换的特定位置的评分矩阵。 MEME主题与PSSM格式的相似性与PSSM格式之间的相似性通过邮票图章比较工具(Mahony&Benos,2007)计算。这些对相似性的电子值显示在第四列中。 (d)在由GKMSVM描述符聚集的每个组中选择了一个图案,下面列出了CFSP算法的相应主题。 (e)从https://www.encodeproject.org收集的,有附加数据集(文件no:cernff100grl,cenf616irl,conf8.20cer,target:srebf1)。使用MEME工具在每个文件中选择前两个图案,并且我们的算法发现的相应主题如下所示。
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发