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Electrical properties of Gd-modified PZT (MPB) ceramics

机译:GD改性PZT(MPB)陶瓷的电气性能

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摘要

The polycrystalline samples of gadolinium (Gd)-modified lead-zirconate-titanate (Pb$_{1?x}$Gd$_x$(Zr$_{0.52}$Ti$_{0.48})_{1?x/4}$O$_3$) ($x$ = 0, 0.07, 0.10 and 0.12) (PGZT) ceramics near morphotropic phase boundary (MPB) were prepared by high-temperature solid-state reaction route. Electrical properties such as impedance ($Z$), modulus ($M$) and conductivity ($sigma$) of the materials have been investigated within a wide range of temperature and frequency. Complex impedance spectroscopy (CIS) studies show that materials exhibit bulk (grain) resistive contributions, negative temperature coefficient of resistance (NTCR) and non-Debye-type dielectric relaxation. The nature of temperature and frequency dependence of conductivity follows Jonscher’s universal power law. $J–E$ characteristics reveal that the materials exhibit semiconducting behaviour and allow a very small leakage current to pass through them.
机译:钆 的 多晶 样品( 钆 )改性 铅 锆钛酸 铅(Pb $ _ {1 ? X} $ $ 钆 _x $( 锆 $ _ { 0.52 } $ 钛 $ _ { 0.48 }) _ { 1 ? X / 4} $ $ ø _3 $ )( $ X $ = 0, 0.07 ,0.10 和0.12 )( PGZT ) 型相界 附近的 陶瓷 (MPB ) 通过高温 固相反应 路线制备 。 电特性 如 阻抗 ($ Z $ ) , 模量( $ M $ ) 和材料的 电导率( $ 西格玛 $ )已经被 广泛的 温度和频率 范围内 的影响。 复 阻抗谱( CIS) 的研究表明, 材料呈现 散装 (粒) 电阻 的贡献, 电阻( NTCR )和非 德拜 型 介电弛豫 的 负温度系数。 电导率 的 温度和 频率依赖性 的性质 如下 Jonscher 的 普及 功法 。 $ J- E $ 特征 表明,该 材料 表现出半导体 行为 ,并允许 一个非常小的 漏电流 穿过它们 。

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