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机译:缓存弹性技术在28-NM CMOS中的低压RISC-V无序处理器的弹性技术
Western Digital Milpitas CA USA;
Esperanto Technologies Mountain View CA USA;
Department of Electrical Engineer and Computer Science University of California at Berkeley Berkeley CA USA;
University of California at Berkeley Berkeley CA USA;
University of California at Berkeley Berkeley CA USA;
Circuit faults; Random access memory; Maintenance engineering; Resilience; Recycling; Metadata; Low voltage;
机译:用于28nm CMOS的低压RISC-V乱序处理器的缓存弹性技术
机译:BROOM:具有28纳米CMOS的低电压恢复能力的开源乱序处理器
机译:扫帚:开源超出处理器,具有28-NM CMOS的弹性低压操作
机译:失灵的RISC-V处理器,在28NM CMOS中具有低电压恢复能力
机译:使用主体驱动和浮栅技术的低压CMOS模拟集成电路的分析和设计。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:TG-SPP:在28-NM CMOS中的宽电压范围弹性电路的单传输门短路填充