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机译:单个外延InGaAs量子点的缺陷诱导光致发光闪烁。
机译:几乎抑制了小尺寸,蓝绿色橙色红色发射单CDSE的核心/梯度合金壳/壳量子点的光致发光闪烁:截断时间和光致发光量子产量之间的相关性
机译:未封盖和GaAs封盖的外延InGaAs量子点的光致发光与结构性质的相关性
机译:具有高横向长宽比的外延InGaAs / GaAs量子点的光致发光的温度依赖性
机译:超高速分子束外延生长技术制备的InGaAs量子点结构的时间分辨光致发光研究
机译:通过利用外延Ag岛的局部表面等离激元来增强Ge量子点的光致发光。
机译:单个外延InGaAs量子点的缺陷诱导光致发光闪烁。
机译:单个InGaAs外延量子棒的光致发光