机译:新型改良型电流不足的环形电压控制振荡器和频率至电压整流器,用于在180 nm技术中抑制1-6 GHz的噪声
机译:130-NM CMOS技术的15 GHz,电压控制环形振荡器的设计:优化中央频率和功耗
机译:90 nm互补金属氧化物半导体中的2.4-10 GHz低噪声注入锁定环压控振荡器
机译:采用28 nm完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的2.45 GHz 0.8 mW压控环形振荡器(VCRO)
机译:采用180nm CMOS技术的宽调谐范围的线性电流不足电压控制环形振荡器
机译:低压低相位噪声高频CMOS LC压控振荡器的新架构。
机译:基于串级偏置电路的电流-电压-频率转换环形振荡器的电流测量传感器
机译:使用90nm CMOS技术设计高性能5.2GHz低相位噪声控制振荡器